Kioxia en Sandisk onthullen 10e generatie 332-laags QLC NAND met interfacesnelheden tot 4,8 Gb/s

In dit artikel:

Kioxia en Sandisk hebben hun tiende generatie QLC 3D-flashgeheugen aangekondigd. De technologie haalt volgens de bedrijven een bitdichtheid van meer dan 37 Gb/mm², tot 60 procent hoger dan die van de achtste generatie. Daarmee willen zij meer opslagcapaciteit mogelijk maken voor onder meer AI- en cloudinfrastructuur.

De verbetering is gebaseerd op CMOS Direct Bonded to Array (CBA). Daarbij worden de CMOS-logica en de geheugenarray afzonderlijk geproduceerd en vervolgens met grote precisie op elkaar aangesloten. Dat verhoogt de lees- en schrijfbandbreedte. Volgens Kioxia en Sandisk is dit bovendien de eerste QLC 3D-flashtechnologie met een interface van 4,8 Gb/s. Aanvullende verbeteringen aan de interface verlagen het energieverbruik van gegevensoverdracht, wat kan helpen bij de stroomvoorziening en koeling van datacenters.

De technologie moet inspelen op de snel groeiende opslagbehoefte door AI-training, inferentie en hyperscale datacenters. Kioxia zegt de ontwikkeling van zijn tiende generatie flashproducten met QLC te versnellen; het persbericht vermeldt geen product- of beschikbaarheidsdatum.