Sandisk kondigt de beschikbaarheid aan van samples van het BiCS10 1 TB TLC 3D NAND flashgeheugen

In dit artikel:

Sandisk heeft bekendgemaakt dat het eerste testmonsters beschikbaar stelt van BiCS10 TLC, zijn nieuwe generatie 3D NAND-flashgeheugen. De stap werd vandaag aangekondigd door het bedrijf en moet de volgende fase van opslagchips voor datacenters, pc’s en vooral AI-toepassingen mogelijk maken.

De belangrijkste vernieuwing zit in de hogere opslagdichtheid en snelheid: BiCS10 bereikt volgens Sandisk meer dan 29 Gb per mm², goed voor 59 procent meer bitdichtheid dan de vorige generatie. Ook de interfacesnelheid gaat omhoog naar 4,8 Gb/s, ongeveer een derde sneller dan BiCS8, dat al in massaproductie is. Tegelijk verbruikt de nieuwe chip minder stroom, met lagere energiebehoefte voor zowel invoer als uitvoer.

Sandisk bouwt BiCS10 op zijn bestaande BiCS-architectuur en de zogeheten CBA-techniek, waarbij logica en geheugen op aparte wafers worden gemaakt en later nauwkeurig worden samengevoegd. De nieuwe versie telt 332 geheugenniveaus en gebruikt onder meer Toggle DDR6.0, SCA en PI-LTT om efficiënter te werken.

Volgens technisch directeur Alper Ilkbahar moet de technologie Sandisk helpen om te voldoen aan de groeiende vraag naar krachtigere en zuinigere opslag voor steeds zwaardere, data-intensieve en door AI aangestuurde toepassingen.